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元件参数资料
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参数目录49928
> PMV60EN,215 MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
型号:
PMV60EN,215
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PMV60EN,215 PDF
产品目录绘图
SOT-23 MOSFET
标准包装
3,000
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
55 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 30V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236AB
包装
带卷 (TR)
其它名称
PMV60EN215-CHP
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